Запуск этапа по наномодификации фторопласта в рамках проекта «Разработка биосовместимого материала на основе наномодифицированного фторопласта путем обработки высокоэнергетическим ионизирующим излучением для применения в ортопедии»
ООО «ТМС» запущен первый этап проекта – наномодификация фторопласта путем обработки высокоэнергетическим ионизирующим излучением.
Этапу предшествовал выбор материала. Так, компанией были закуплены образцы фторопласта практически всех отечественных производителей данного материала.
В частности, фторопласт, полученный методом экструзии и вертикального прессования производства ООО ПКП «МИТО»; полученный методом экструзии и горизонтального прессования производства ООО «Первый фторопластовый завод»; полученный вертикальным прессованием производства ООО «Рошальский завод фторопластовых изделий».
Фторопласт передан для обработки партнеру компании – в Обнинский филиал ОАО ГНЦ НИФХИ им. Л. Я. Карпова — один из российских государственных научно-исследовательских институтов, проводящих исследования в области радиационной химии, радиационной физики твердого тела, химии высокомолекулярных соединений и т. п.
Данный институт является составной частью Государственного научного центра Российской Федерации — Научно-исследовательского физико-химического института им. Л. Я. Карпова, входящего в структуру государственной корпорации Росатом.
Обнинский филиал ОАО ГНЦ НИФХИ им. Л. Я. Карпова располагает серьёзной экспериментально-производственной базой (включая исследовательский реактор типа ВВЭР-ц и 20 ускорителей электронов). Он специализируется на выпуске радиофармпрепаратов (свыше 20 видов) и выпуске материалов со свойствами, улучшенными благодаря ионизирующему излучению. Одним из важных направлений деятельности филиала на протяжении десятилетий является промышленное получение 99Mo, используемого в диагностических и терапевтических целях (второй российский центр находится в Димитровграде). Под руководством профессора С. П. Соловьёва на базе института были осуществлены широкомасштабные работы по ядерному легированию полупроводников, создана технологическая линия по производству радиационно-легированного кремния, и организовано промышленное производство последнего. Благодаря созданным технологиям в настоящее время в институте производится несколько тонн слитков и пластин радиационно-легированных и радиационно-модифицированных полупроводников.
